800 nm APD
Özellikler
- Ön taraf aydınlatmalı düz çip
- Yüksek hızlı yanıt
- Yüksek APD kazancı
- Düşük bağlantı kapasitansı
- Düşük gürültü
Uygulamalar
- Lazer aralığı
- lazer radarı
- Lazer uyarısı
fotoelektrik parametre（@Ta=22±3℃)
| Öğe # | Paket kategorisi | Işığa duyarlı yüzeyin çapı (mm) | Spektral yanıt aralığı (nm) |
Tepe yanıt dalga boyu | Duyarlılık λ=800nm φe=1μW M=100 (S/B) | Tepki Süresi λ=800nm RL=50Ω （ns） | Karanlık akım M=100 (nA) | Sıcaklık katsayısı Ta=-40℃～85℃ （V/℃）
| Toplam kapasitans M=100 f=1MHz （pF）
| Arıza gerilimi IR=10μA （V） | ||
| tip | Maks. | dak. | maks. | |||||||||
| GD5210Y-1-2-TO46 | TO-46 | 0.23 |
400～1100
|
800 |
55
|
0.3 | 0,05 | 0.2 | 0,5 | 1.5 | 80 | 160 |
| GD5210Y-1-5-TO46 | TO-46 | 0.50 | 0.10 | 0.4 | 3.0 | |||||||
| GD5210Y-1-2-LCC3 | LCC3 | 0.23 | 0,05 | 0.2 | 1.5 | |||||||
| GD5210Y-1-5-LCC3 | LCC3 | 0.50 | 0.10 | 0.4 | 3.0 | |||||||
