ÜRÜNLER Fabrikası, Tedarikçiler - Çin ÜRÜNLER Üreticileri

InGaAs APD Modülleri

Zayıf akım sinyalinin yükseltilmesini ve foton-fotoelektrik-sinyal amplifikasyonunun dönüşüm sürecini gerçekleştirmek için voltaj sinyaline dönüştürülmesini sağlayan ön amplifikasyon devresine sahip indiyum galyum arsenit çığ fotodiyot modülüdür.

SORUŞTURMA detay
Dört çeyrek APD

UV'den NIR'ye kadar değişen yüksek hassasiyet sağlayan dört aynı Si çığ fotodiyot biriminden oluşur.Tepe yanıtı dalga boyu 980nm'dir.Duyarlılık: 1064 nm'de 40 A/W.

SORUŞTURMA detay
Dört bölgeli APD modülleri

Zayıf akım sinyalinin yükseltilmesini ve foton-fotoelektrik-sinyal amplifikasyonunun dönüşüm sürecini gerçekleştirmek için voltaj sinyaline dönüştürülmesini sağlayan ön amplifikasyon devresine sahip dört aynı Si çığ fotodiyodu biriminden oluşur.

SORUŞTURMA detay
850nm Si PIN modülleri

Foton-fotoelektrik-sinyal amplifikasyonunun dönüşüm sürecini gerçekleştirmek için zayıf akım sinyalinin yükseltilmesini ve voltaj sinyaline dönüştürülmesini sağlayan ön amplifikasyon devresine sahip 850nm Si PIN fotodiyot modülüdür.

SORUŞTURMA detay
900nm Si PIN fotodiyot

Ters polarizasyon altında çalışan ve UV'den NIR'a kadar yüksek hassasiyet sağlayan Si PIN fotodiyodudur.Tepe yanıtı dalga boyu 930nm'dir.

SORUŞTURMA detay
1064nm Si PIN fotodiyot

Ters polarizasyon altında çalışan ve UV'den NIR'a kadar yüksek hassasiyet sağlayan Si PIN fotodiyodudur.Tepe yanıtı dalga boyu 980nm'dir.Duyarlılık: 1064 nm'de 0,3A/W.

SORUŞTURMA detay
Fiber Si PIN modülleri

Optik sinyal, fiber optik girilerek akım sinyaline dönüştürülür.Si PIN modülü, foton-fotoelektrik-sinyal amplifikasyonunun dönüşüm sürecini gerçekleştirmek için zayıf akım sinyalinin yükseltilmesini ve voltaj sinyaline dönüştürülmesini sağlayan ön amplifikasyon devresine sahiptir.

SORUŞTURMA detay
Dört çeyrek Si PIN

Ters altında çalışan ve UV'den NIR'ye kadar yüksek hassasiyet sağlayan dört aynı Si PIN fotodiyot biriminden oluşur.Tepe yanıtı dalga boyu 980nm'dir.Duyarlılık: 1064 nm'de 0,5 A/W.

SORUŞTURMA detay
Dört çeyrek Si PIN modülleri

Zayıf akım sinyalinin yükseltilmesini ve foton-fotoelektrik-sinyal amplifikasyonunun dönüşüm sürecini gerçekleştirmek için voltaj sinyaline dönüştürülmesini sağlayan ön amplifikasyon devresine sahip tekli veya çiftli dört aynı Si PIN fotodiyot biriminden oluşur.

SORUŞTURMA detay
UV ile geliştirilmiş Si PIN

UV'den NIR'a kadar değişen yüksek hassasiyet sağlayan, ters yönde çalışan, geliştirilmiş UV'ye sahip Si PIN fotodiyottur.Tepe yanıt dalga boyu 800nm'dir.Duyarlılık: 340 nm'de 0,15 A/W.

SORUŞTURMA detay
1064nm YAG Lazer -15mJ-5

1064nm dalga boyu, ≥15mJ tepe gücü, 1~5hz (ayarlanabilir) darbe tekrarlama hızı ve ≤8mrad sapma açısına sahip pasif Q-anahtarlı bir Nd:YAG lazerdir.Buna ek olarak, küçük ve hafif bir lazerdir ve bireysel savaş ve bazı senaryolarda İHA'nın geçerli olduğu gibi hacim ve ağırlık için katı gereksinimleri olan bazı senaryolar için değişen mesafeler için ideal ışık kaynağı olabilen yüksek enerji çıkışı elde edebilir.

SORUŞTURMA detay
1064nm YAG Lazer-15mJ-20

1064nm dalga boyuna, ≥15mJ tepe gücüne ve ≤8mrad sapma açısına sahip pasif Q-anahtarlı bir Nd：YAG lazerdir.Ayrıca, yüksek frekansta (20Hz) değişen uzun mesafeler için ideal ışık kaynağı olabilen küçük ve hafif bir lazerdir.

SORUŞTURMA detay